台积电大动作：核准305亿资本预算 招募存储器高手

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据说，睿智的人都选择了置顶“微电子制造”

晶圆代工龙头台积电昨（14）日召开季度例行董事会，会中决议核准约新台币1,364亿元（约合人民币305亿元）资本预算，用来做为南科18厂新厂扩建、7纳米先进制程扩充和升级等费用，以因应市场强劲需求，并将对子公司TSMC Global Ltd.增资20亿美元来降低外汇避险成本。

台积电表示，此次核准的资本支出预算，主要用于兴建厂房，建置、扩充及升级先进制程产能，转换逻辑制程产能为特殊制程产能，转换成熟制程产能为特殊制程产能，扩充及升级特殊制程产能，扩充先进封装制程产能，以及第4季研发资本预算与经常性资本预算。

此外，台积公告聘任史丹佛大学电机工程系终身职教授黄汉森为技术研究组织主管，也为近期业界传出的“台积电9月将有新人事异动”增添想象。

台积电创办人张忠谋退休后，由刘德音接任董座，魏哲家则担任副董事长暨总裁。近期业界传出，刘、魏两人的职权划分将更明确，预计在9月进行人事改组。其中，业界点名副总经理王建光可望主管晶圆厂营运，副总经理王英郎将统筹所有12英寸厂营运。

在制程研发部份，台积电董事会昨核准聘任黄汉森为副总经理。黄汉森将担任技术研究组织（Corporate Research）主管，并直接对资深副总经理米玉杰负责。黄汉森拥有美国理海大学（Lehigh University）电机工程博士学位，在加入台积电前，在史丹佛大学担任电机工程系终身职教授多年。另外，他在IBM半导体部门也有16年的工作经验。

业界人士指出，黄汉森擅长新型态的存储器技术研发，由于现阶段嵌入式快闪存储器eFlash制程技术面临瓶颈，黄汉森应可带领台积电朝向新一代的嵌入式非挥发性存储器技术前进，包括嵌入式磁阻式随机存取存储器eMRAM技术，或是嵌入式电阻式存储器eRRAM技术等。

据业界报道，台积电针对物联网推广了从0.35/0.25/0.18微米到90/65/50/40纳米的RF制程、嵌入式快闪存储器ddedFlash制程等，加速把各阶段的制程技术要补齐。寻找广阔的成长空间。封装方面，台积电从明年初开始，CoWoS技术将提供具备倍缩光罩(reticle)两倍尺寸的硅中介层选项，以因应该领域的需求；而具备130微米凸块间距的版本则将在今年通过品质认证。InFO技术则会有四种衍生技术，其中记忆体基板应用的InFO-MS，将在1x倍缩光罩的基板上封装SoC与HBM，具备2x2微米的重分布层(redistribution layer)，将在9月通过验证。InFO-oS则拥有与DRAM更匹配的背向RDL间距，而且已经准备就绪；一种名为MUST的多堆叠选项，将1~2颗芯片放在另一颗比较大的芯片顶部，然后以位于堆叠底部的硅中介层来连结。最后还有一种InFO-AIP就是封装天线(antenna-in-package)技术，号称外观尺寸可缩小10%，天线增益则提高40%，锁定5G基频芯片的前端模组应用等设计。

台积电还发表两种全新的封装技术选项。其中在4月底问世的WoW (wafer-on-wafer)封装直接以打线堆叠三颗裸晶，不过使用者还需要确定其EDA流程是否支援这种打线(bonding)技术；该技术还将在6月推出支援EMI的版本。另一种一种被称为「整合芯片系统」(system-on-integrated-chips，SoICs)的技术，采用10奈米以下的互连来连结两颗裸晶，但技术细节还要到明年才会透露；该技术锁定的应用从行动通讯到高性能运算，而且能连结采用不同制程节点生产的裸晶，看来是某种形式的系统级封装(SiP)。

台积电明年最大的投资案，就是在南科兴建的5纳米12英寸晶圆厂Fab 18，该厂总投资额达250亿美元。台积电7纳米已全面量产，支援极紫外光（EUV）技术的7+纳米已完成研发，将在明年量产。至于再下一个世代的5纳米研发顺利进行中，应可如预期在2020年进入量产。