美光发布最新手艺路线，Flash和DRAM将会有何转变？

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5月23日，在美光投资者大会上，美光展示了其对NAND Flash和DRAM财富的见解，以及美光下一代手艺的成长以及规划。

美光是全球DRAM和NAND Flash芯片供给商，在全球离别排名第三和第四的位置，在最新的2019年Q2财季中，美光DRAM买卖大约占整体营收的64%，而NAND Flash营收大约占了30%。

美光在投资者大会上介绍到，其焦点手艺研发是在美国的爱达荷州基地，其Fab工场产能分布在全球各地，个中..首要用于生产DRAM，新加坡首要生产NAND Flash，立异的3D Xpoint是在美国犹他州，封装是在..完成，美国Virginia知足汽车市场需求。

美光认为，DRAM财富面临三大挑战：第一，Wafer Gb当量显著增进的挑战；第二，手艺转换节点所显现的成本与最终的收益挑战；第三，资源支出的强度持续增加。

在DRAM方面，美光将持续推进1Znm DRAM手艺，将基于该进步手艺推出16Gb LPDDR4。在1Znm手艺之后，向下成长还有1α、1β、1γ，在从1Znm到1γ手艺的过程中，美光将持续评估EUV工艺DRAM的成本效益，在合适的时候用上EUV。

值得注重的是，美光在2018年认为至少在1α及1β工艺之前不会用到EUV，但为安在2019年会评估EUV的使用呢？业内子士猜测，或者首要是因为2019年DRAM价钱大跌，使得产物利润受到挤压，再加上NAND Flash需乞降价钱也都鄙人滑，美光需要提高产量和机能，来降低成本。

在NAND方面，美光3D手艺已履历了三代，今朝是第三代96层3D NAND，下一代将向128层3D NAND成长，是64+64层的构造。为了使NAND Flash在机能、容量、尺寸等方面持续施展其优势，美光在128层3D NAND手艺将从Floating Gate浮栅向栅极手艺(Replacement Gate)过渡，并持续使用阵列下的CMOS架构。

美光透露，NAND Flash手艺从2D向3D成长，驱动Wafer GB量大幅度增加，64层3D NAND手艺之后，也就是下一代128层3D NAND手艺，首要聚焦在RG（(Replacement Gate)）手艺的过渡，NAND Flash容量增加和成本降低的速度放缓。

美光认为，在云、企业、游戏、IOT、汽车、移动、PC等市场，客户对产物要求高带宽、高机能、低功耗 ，这是持续对企业手艺、产物的挑战。

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